TIP112, Составной (Дарлингтон) NPN транзистор

Поставка электронных компонентов в Красноярск

25,00 руб.

Артикул: 1123604 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Красноярск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	25,00руб.	23,25руб.	22,50руб.	22,00руб.	20,50руб.	20,00руб.	19,50руб.	18,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	45,25руб.	41,50руб.	40,75руб.	39,75руб.	37,00руб.	36,25руб.	35,25руб.	31,75руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	58,50руб.	54,00руб.	52,75руб.	51,50руб.	48,00руб.	46,75руб.	45,75руб.	41,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	30,00руб.	27,50руб.	27,00руб.	26,25руб.	24,50руб.	24,00руб.	23,25руб.	21,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	57,75руб.	53,25руб.	52,00руб.	50,75руб.	49,25руб.	47,50руб.	45,00руб.	40,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

TIP112, Составной (Дарлингтон) NPN транзистор The TIP112 is a NPN complementary silicon epitaxial-base Power Transistor with monolithic Darlington configuration mounted in a JEDEC plastic package. It is intended for use in medium power linear and switching applications.

• Integrated anti-parallel collector-emitter diode
• PNP complementary type is TIP117

Дополнительная информация

Корпус	to220ab
Структура	npn с darl
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	500
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	50