Заполнитель

STP10NK80ZFP, Транзистор MOSFET N-CH 800V 9A [TO-220FP]

Поставка электронных компонентов в Красноярск

93,00 руб.

x 93,00 = 93,00
Артикул: 1126850 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Красноярск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней93,00руб.86,49руб.83,70руб.81,84руб.76,26руб.74,40руб.72,54руб.66,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней168,33руб.154,38руб.151,59руб.147,87руб.137,64руб.134,85руб.131,13руб.118,11руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней217,62руб.200,88руб.196,23руб.191,58руб.178,56руб.173,91руб.170,19руб.152,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней111,60руб.102,30руб.100,44руб.97,65руб.91,14руб.89,28руб.86,49руб.78,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней214,83руб.198,09руб.193,44руб.188,79руб.183,21руб.176,70руб.167,40руб.150,66руб.

Характеристики

STP10NK80ZFP, Транзистор MOSFET N-CH 800V 9A [TO-220FP]The STP10NK80ZFP is a 800V N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using SuperMESH™ technology, achieved through optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in on resistance, this MOSFET is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today’s challenging efficiency requirements.

• Extremely high dv/dt capability
• 100% Avalanche tested
• Gate charge minimized
• Very low intrinsic capacitance
• Very good manufacturing repeatability

Дополнительная информация

Корпус

to220fp
Структура

n-канал