Транзистор STB28NM50N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.135 Ом

Поставка электронных компонентов в Красноярск

130,00 руб.

Артикул: 1126824 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Красноярск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	130,00руб.	120,90руб.	117,00руб.	114,40руб.	110,50руб.	104,00руб.	101,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	244,40руб.	224,90руб.	221,00руб.	215,80руб.	208,00руб.	196,30руб.	191,10руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	248,30руб.	228,80руб.	223,60руб.	218,40руб.	208,00руб.	197,60руб.	193,70руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	156,00руб.	143,00руб.	140,40руб.	136,50руб.	132,60руб.	124,80руб.	120,90руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	226,20руб.	208,00руб.	202,80руб.	198,90руб.	192,40руб.	180,70руб.	175,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	141,70руб.	131,30руб.	127,40руб.	124,80руб.	120,90руб.	113,10руб.	110,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

STB28NM50N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.135 Ом The STB28NM50N is a MDmesh™ II N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh™ technology. The device associates a vertical structure with strip layout yield to lowest ON-resistance and gate charge. It is suitable for the most demanding high efficiency converters.

• 100% Avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance

Дополнительная информация

Корпус	d2pak
Структура	n-канал