Модуль gd75piy120c6sn

Поставка электронных компонентов в Красноярск

11.000,00 руб.

GD75PIY120C6SN, Silicon Carbide MOSFET, Seven N Channel, Module

Артикул: 1185919 Категории: Модули, Модули силовые IGBT

Сроки поставки выбранного компонента в Красноярск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	10шт	50шт	100шт	1000шт	3000шт
Склад №1	10-12 дней	11.000,00руб.	10.230,00руб.	9.680,00руб.	9.350,00руб.	9.020,00руб.	8.855,00руб.

Наличие	Срок	1шт	10шт	50шт	100шт	1000шт	3000шт
Склад №2	7-10 дней	12.430,00руб.	11.220,00руб.	11.000,00руб.	10.560,00руб.	10.230,00руб.	10.010,00руб.

Наличие	Срок	1шт	10шт	50шт	100шт	1000шт	3000шт
Склад №3	7-10 дней	13.420,00руб.	12.100,00руб.	11.770,00руб.	11.440,00руб.	10.780,00руб.	10.120,00руб.

Наличие	Срок	1шт	10шт	50шт	100шт	1000шт	3000шт
Склад №4	7-10 дней	13.090,00руб.	11.770,00руб.	11.550,00руб.	11.110,00руб.	10.670,00руб.	10.065,00руб.

Наличие	Срок	1шт	10шт	50шт	100шт	1000шт	3000шт
Склад №5	5 дней	18.700,00руб.	16.830,00руб.	16.500,00руб.	15.840,00руб.	15.290,00руб.	13.970,00руб.

Наличие	Срок	1шт	10шт	50шт	100шт	1000шт	3000шт
Склад №6	6 дней	18.590,00руб.	16.720,00руб.	16.368,00руб.	15.730,00руб.	15.180,00руб.	13.860,00руб.

Характеристики

Характеристики

IGBT Configuration PIM Three Phase Input Rectifier
DC Ток Коллектора 117А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.7В
Рассеиваемая Мощность 380Вт
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Стиль Корпуса Транзистора Module
IGBT Termination Press Fit
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
IGBT Technology Trench Field Stop

Загрузка