IRLMS6702TRPBF, Транзистор, P-канал 20В 2.5А logic [Micro-6

Поставка электронных компонентов в Красноярск

15,00 руб.

Артикул: 1126366 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Красноярск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	15,00руб.	13,95руб.	13,50руб.	13,20руб.	12,30руб.	12,00руб.	11,70руб.	10,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	27,15руб.	24,90руб.	24,45руб.	23,85руб.	22,20руб.	21,75руб.	21,15руб.	19,05руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	35,10руб.	32,40руб.	31,65руб.	30,90руб.	28,80руб.	28,05руб.	27,45руб.	24,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	18,00руб.	16,50руб.	16,20руб.	15,75руб.	14,70руб.	14,40руб.	13,95руб.	12,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	34,65руб.	31,95руб.	31,20руб.	30,45руб.	29,55руб.	28,50руб.	27,00руб.	24,30руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRLMS6702TRPBF, Транзистор, P-канал 20В 2.5А logic [Micro-6 The IRLMS6702TRPBF is a HEXFET® single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. It’s unique thermal design and RDS (ON) reduction enables a current-handling increase of nearly 300%.

• Generation V technology
• Ultra-low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching
• Fully avalanche rating