16

IRFR9024NTRPBF, Транзистор P-CH 55V 11A [D-PAK]

Поставка электронных компонентов в Красноярск

23,00 руб.

x 23,00 = 23,00
Сроки поставки выбранного компонента в Красноярск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней23,00руб.21,39руб.20,70руб.20,24руб.18,86руб.18,40руб.17,94руб.16,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней41,63руб.38,18руб.37,49руб.36,57руб.34,04руб.33,35руб.32,43руб.29,21руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней53,82руб.49,68руб.48,53руб.47,38руб.44,16руб.43,01руб.42,09руб.37,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней27,60руб.25,30руб.24,84руб.24,15руб.22,54руб.22,08руб.21,39руб.19,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней53,13руб.48,99руб.47,84руб.46,69руб.45,31руб.43,70руб.41,40руб.37,26руб.

Характеристики

IRFR9024NTRPBF, Транзистор P-CH 55V 11A [D-PAK]The IRFR9024NTRPBF is a HEXFET® fifth generation single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device and reliable operation. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.

• Advanced process technology
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating

Дополнительная информация

Корпус

dpak

Структура

p-канал