IRFR2405PBF, Транзистор Nкан 55В 56А, [D-PAK]

Поставка электронных компонентов в Красноярск

40,00 руб.

Артикул: 1126204 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Красноярск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	40,00руб.	37,20руб.	36,00руб.	35,20руб.	32,80руб.	32,00руб.	31,20руб.	28,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	72,40руб.	66,40руб.	65,20руб.	63,60руб.	59,20руб.	58,00руб.	56,40руб.	50,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	93,60руб.	86,40руб.	84,40руб.	82,40руб.	76,80руб.	74,80руб.	73,20руб.	65,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	48,00руб.	44,00руб.	43,20руб.	42,00руб.	39,20руб.	38,40руб.	37,20руб.	33,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	92,40руб.	85,20руб.	83,20руб.	81,20руб.	78,80руб.	76,00руб.	72,00руб.	64,80руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFR2405PBF, Транзистор Nкан 55В 56А, [D-PAK]The IRFR2405PBF is a HEXFET® seventh generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.

• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance