16

IRFR1010ZPBF, Транзистор, N-канал 55В 91А [D-Pak]

Поставка электронных компонентов в Красноярск

56,00 руб.

x 56,00 = 56,00
Артикул: 1126194 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Красноярск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней56,00руб.52,08руб.50,40руб.49,28руб.45,92руб.44,80руб.43,68руб.40,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней101,36руб.92,96руб.91,28руб.89,04руб.82,88руб.81,20руб.78,96руб.71,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней131,04руб.120,96руб.118,16руб.115,36руб.107,52руб.104,72руб.102,48руб.91,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней67,20руб.61,60руб.60,48руб.58,80руб.54,88руб.53,76руб.52,08руб.47,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней129,36руб.119,28руб.116,48руб.113,68руб.110,32руб.106,40руб.100,80руб.90,72руб.

Характеристики

IRFR1010ZPBF, Транзистор, N-канал 55В 91А [D-Pak]The IRFR1010ZPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175 C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Advanced process technology
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Дополнительная информация

Корпус

dpak
Структура

n-канал