66

IRFH5301TRPBF, Транзистор N-канал 30В 100А [PQFN-5×6]

Поставка электронных компонентов в Красноярск

56,10 руб.

x 56,10 = 56,10
Сроки поставки выбранного компонента в Красноярск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней56,10руб.52,17руб.50,49руб.49,37руб.46,00руб.44,88руб.43,76руб.40,39руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней101,54руб.93,13руб.91,44руб.89,20руб.83,03руб.81,35руб.79,10руб.71,25руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней131,27руб.121,18руб.118,37руб.115,57руб.107,71руб.104,91руб.102,66руб.92,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней67,32руб.61,71руб.60,59руб.58,91руб.54,98руб.53,86руб.52,17руб.47,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней129,59руб.119,49руб.116,69руб.113,88руб.110,52руб.106,59руб.100,98руб.90,88руб.

Характеристики

IRFH5301TRPBF, Транзистор N-канал 30В 100А [PQFN-5×6] International Rectifier представил линейку новых силовых HEXFET MOSFET транзисторов, имеющий одно из самых низких значений сопротивления канала в открытом состоянии. Новые силовые транзисторы изготовлены по последней кремниевой технологии и представлены в корпусе PQFN 5×6мм . Данные транзисторы оптимизированы для приложений типа ORing (активные силовые схемы ИЛИ) и электроприводов постоянного тока.

Новые силовые MOSFET транзисторы выполнены по принципиально новому методу корпусирования кристалла с применением медной клипсы. На поверхность кристалла помещается – «защелкивается» медная пластина – клипса, обеспечивая очень плотное прилегание к кристаллу – контакт, позволяющий получить сопротивление перехода кристалл – медная клипса менее чем 1 мОм.

Транзисторы на 25 В IRFH5250TRPbF и 30 В IRFH5300TRPbF предназначены для DC коммутации, например, O’Ring приложений или DC электроприводов, где требуется большая нагрузочная способность по току и высокая эффективность Транзисторы IRFH5250TRPBF на 25В наряду со сверхмалым сопротивлением открытого канала 1.15 мОм (макс.) имеют значение заряда затвора (Qg) 52 нК, а транзисторы IRFH5300TRPBF на 30В – соответственно 1.4 мОм и 50 нК.

В дополнении к отличным характеристикам теплоотвода использование данных транзисторов позволит сократить площадь платы и стоимость разработки, поскольку ранее для снижения потерь требовать использование нескольких компонентов.

Дополнительная информация

Корпус

pqfn 5×6 mm