60

IRFD024PBF, Транзистор, N-канал 60В 2.45А [HD1]

Поставка электронных компонентов в Красноярск

36,00 руб.

x 36,00 = 36,00
Артикул: 1126705 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Красноярск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней36,00руб.33,48руб.32,40руб.31,68руб.29,52руб.28,80руб.28,08руб.25,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней65,16руб.59,76руб.58,68руб.57,24руб.53,28руб.52,20руб.50,76руб.45,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней84,24руб.77,76руб.75,96руб.74,16руб.69,12руб.67,32руб.65,88руб.59,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней43,20руб.39,60руб.38,88руб.37,80руб.35,28руб.34,56руб.33,48руб.30,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней83,16руб.76,68руб.74,88руб.73,08руб.70,92руб.68,40руб.64,80руб.58,32руб.

Характеристики

IRFD024PBF, Транзистор, N-канал 60В 2.45А [HD1]The IRFD024PBF is a 60V N-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.

• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• 175 C Operating temperature
• Easy to parallel
• Simple drive requirement
• For automatic insertion
• End stackable

Дополнительная информация

Корпус

hd-1
Структура

n-канал