IRFB7730PBF, Транзистор, StrongIRFET, N-канал, 75В, 195А

Поставка электронных компонентов в Красноярск

300,00 руб.

Артикул: 1127117 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Красноярск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	300,00руб.	279,00руб.	270,00руб.	264,00руб.	255,00руб.	240,00руб.	234,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	564,00руб.	519,00руб.	510,00руб.	498,00руб.	480,00руб.	453,00руб.	441,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	573,00руб.	528,00руб.	516,00руб.	504,00руб.	480,00руб.	456,00руб.	447,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	360,00руб.	330,00руб.	324,00руб.	315,00руб.	306,00руб.	288,00руб.	279,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	522,00руб.	480,00руб.	468,00руб.	459,00руб.	444,00руб.	417,00руб.	405,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	327,00руб.	303,00руб.	294,00руб.	288,00руб.	279,00руб.	261,00руб.	255,00руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFB7730PBF, Транзистор, StrongIRFET, N-канал, 75В, 195А The IRFB7730PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. The StrongIRFET™ power MOSFET is suitable for battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, DC-to-AC inverters, DC-to-DC and AC-to-DC converters.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability

Дополнительная информация

Корпус	to220ab
Структура	n-канал