Заполнитель

IRFB4410ZPBF, Транзистор, N-канал 100В 97А [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Красноярск

67,00 руб.

x 67,00 = 67,00
Артикул: 1126086 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Красноярск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней67,00руб.62,31руб.60,30руб.58,96руб.54,94руб.53,60руб.52,26руб.48,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней121,27руб.111,22руб.109,21руб.106,53руб.99,16руб.97,15руб.94,47руб.85,09руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней156,78руб.144,72руб.141,37руб.138,02руб.128,64руб.125,29руб.122,61руб.109,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней80,40руб.73,70руб.72,36руб.70,35руб.65,66руб.64,32руб.62,31руб.56,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней154,77руб.142,71руб.139,36руб.136,01руб.131,99руб.127,30руб.120,60руб.108,54руб.

Характеристики

IRFB4410ZPBF, Транзистор, N-канал 100В 97А [TO-220AB]The IRFB4410ZPBF is a 100V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. Suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching, hard switched and high frequency circuits.

• Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
• Halogen-free

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

n-канал