Заполнитель

IRFB3207ZPBF, Транзистор, N-канал 75В 170A [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Красноярск

84,00 руб.

x 84,00 = 84,00
Сроки поставки выбранного компонента в Красноярск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней84,00руб.78,12руб.75,60руб.73,92руб.68,88руб.67,20руб.65,52руб.60,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней152,04руб.139,44руб.136,92руб.133,56руб.124,32руб.121,80руб.118,44руб.106,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней196,56руб.181,44руб.177,24руб.173,04руб.161,28руб.157,08руб.153,72руб.137,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней100,80руб.92,40руб.90,72руб.88,20руб.82,32руб.80,64руб.78,12руб.70,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней194,04руб.178,92руб.174,72руб.170,52руб.165,48руб.159,60руб.151,20руб.136,08руб.

Характеристики

IRFB3207ZPBF, Транзистор, N-канал 75В 170A [TO-220AB]The IRFB3207ZPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for AC-to-DC, battery-operated drive, high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability

Дополнительная информация

Корпус

to220ab

Структура

n-канал