IRFB3207ZPBF, Транзистор, N-канал 75В 170A [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Красноярск

84,00 руб.

Артикул: 1126069 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Красноярск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	84,00руб.	78,12руб.	75,60руб.	73,92руб.	68,88руб.	67,20руб.	65,52руб.	60,48руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	152,04руб.	139,44руб.	136,92руб.	133,56руб.	124,32руб.	121,80руб.	118,44руб.	106,68руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	196,56руб.	181,44руб.	177,24руб.	173,04руб.	161,28руб.	157,08руб.	153,72руб.	137,76руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	100,80руб.	92,40руб.	90,72руб.	88,20руб.	82,32руб.	80,64руб.	78,12руб.	70,56руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	194,04руб.	178,92руб.	174,72руб.	170,52руб.	165,48руб.	159,60руб.	151,20руб.	136,08руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFB3207ZPBF, Транзистор, N-канал 75В 170A [TO-220AB]The IRFB3207ZPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for AC-to-DC, battery-operated drive, high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability

Дополнительная информация

Корпус	to220ab
Структура	n-канал