IRF9Z24NPBF, Транзистор, P-канал 55В 12А [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Красноярск

27,00 руб.

Артикул: 1126058 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Красноярск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	27,00руб.	25,11руб.	24,30руб.	23,76руб.	22,14руб.	21,60руб.	21,06руб.	19,44руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	48,87руб.	44,82руб.	44,01руб.	42,93руб.	39,96руб.	39,15руб.	38,07руб.	34,29руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	63,18руб.	58,32руб.	56,97руб.	55,62руб.	51,84руб.	50,49руб.	49,41руб.	44,28руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	32,40руб.	29,70руб.	29,16руб.	28,35руб.	26,46руб.	25,92руб.	25,11руб.	22,68руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	62,37руб.	57,51руб.	56,16руб.	54,81руб.	53,19руб.	51,30руб.	48,60руб.	43,74руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF9Z24NPBF, Транзистор, P-канал 55В 12А [TO-220AB]The IRF9Z24NPBF is a -55V single P-channel HEXFET® Power MOSFET, fifth generation HEXFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFET is well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.

• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rated
• 175 C Operating temperature