IRF8010PBF, Транзистор, N-канал 100В 80А [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Красноярск

80,00 руб.

Артикул: 1126030 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Красноярск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	80,00руб.	74,40руб.	72,00руб.	70,40руб.	65,60руб.	64,00руб.	62,40руб.	57,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	144,80руб.	132,80руб.	130,40руб.	127,20руб.	118,40руб.	116,00руб.	112,80руб.	101,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	187,20руб.	172,80руб.	168,80руб.	164,80руб.	153,60руб.	149,60руб.	146,40руб.	131,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	96,00руб.	88,00руб.	86,40руб.	84,00руб.	78,40руб.	76,80руб.	74,40руб.	67,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	184,80руб.	170,40руб.	166,40руб.	162,40руб.	157,60руб.	152,00руб.	144,00руб.	129,60руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF8010PBF, Транзистор, N-канал 100В 80А [TO-220AB]The IRF8010PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers low gate-to-drain charge to reduce switching losses. It is suitable for high frequency DC-to-DC converters.

• Fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design
• Fully characterized avalanche voltage and current
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching
• Fully avalanche rating

Дополнительная информация

Корпус	to220ab
Структура	n-канал