2

IRF7351PBF, Транзистор, 2N-канала 60В 8А [SO-8]

Поставка электронных компонентов в Красноярск

49,00 руб.

x 49,00 = 49,00
Артикул: 1125984 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Красноярск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней49,00руб.45,57руб.44,10руб.43,12руб.40,18руб.39,20руб.38,22руб.35,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней88,69руб.81,34руб.79,87руб.77,91руб.72,52руб.71,05руб.69,09руб.62,23руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней114,66руб.105,84руб.103,39руб.100,94руб.94,08руб.91,63руб.89,67руб.80,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней58,80руб.53,90руб.52,92руб.51,45руб.48,02руб.47,04руб.45,57руб.41,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней113,19руб.104,37руб.101,92руб.99,47руб.96,53руб.93,10руб.88,20руб.79,38руб.

Характеристики

IRF7351PBF, Транзистор, 2N-канала 60В 8А [SO-8]The IRF7351PBF is a 60V dual N-channel HEXFET Power MOSFET ideal for low power motor drive systems. It is compatible with existing surface mount techniques. This synchronous rectifier MOSFET is designed for isolated DC-DC converters.

• Ultra-low gate impedance
• Fully characterized avalanche voltage and current
• Trench MOSFET technology
• ±20V Gate to source voltage
• 0.016W/ C Linear derating factor
• 50A Avalanche current (IAR)
• 20 C/W Thermal resistance, junction to drain lead
• 62.5 C/W Thermal resistance, junction to ambient

Дополнительная информация

Корпус

so8
Структура

2n-канала