IRF7324PBF, Транзистор, 2P-канала 20В 9.0А [SO-8]

Поставка электронных компонентов в Красноярск

46,00 руб.

Артикул: 1125975 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Красноярск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	46,00руб.	42,78руб.	41,40руб.	40,48руб.	37,72руб.	36,80руб.	35,88руб.	33,12руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	83,26руб.	76,36руб.	74,98руб.	73,14руб.	68,08руб.	66,70руб.	64,86руб.	58,42руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	107,64руб.	99,36руб.	97,06руб.	94,76руб.	88,32руб.	86,02руб.	84,18руб.	75,44руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	55,20руб.	50,60руб.	49,68руб.	48,30руб.	45,08руб.	44,16руб.	42,78руб.	38,64руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	106,26руб.	97,98руб.	95,68руб.	93,38руб.	90,62руб.	87,40руб.	82,80руб.	74,52руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF7324PBF, Транзистор, 2P-канала 20В 9.0А [SO-8]The IRF7324PBF is a -20V dual P-channel new trench HEXFET® Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design that HEXFET power MOSFET is well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in battery and load management applications.

• Trench technology
• Ultra low on-resistance
• Dual P-channel MOSFET
• Low profile (