2

Транзистор IRF7316PBF, Транзисто, 2P-канала 30В 4.9А [SO-8]

Поставка электронных компонентов в Красноярск

25,00 руб.

x 25,00 = 25,00
Артикул: 1125969 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Красноярск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней25,00руб.23,25руб.22,50руб.22,00руб.20,50руб.20,00руб.19,50руб.18,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней45,25руб.41,50руб.40,75руб.39,75руб.37,00руб.36,25руб.35,25руб.31,75руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней58,50руб.54,00руб.52,75руб.51,50руб.48,00руб.46,75руб.45,75руб.41,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней30,00руб.27,50руб.27,00руб.26,25руб.24,50руб.24,00руб.23,25руб.21,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней57,75руб.53,25руб.52,00руб.50,75руб.49,25руб.47,50руб.45,00руб.40,50руб.

Характеристики

IRF7316PBF, Транзисто, 2P-канала 30В 4.9А [SO-8]The IRF7316PBF is a dual P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Generation V technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Fully avalanche rated

Дополнительная информация

Корпус

so8
Структура

2p-канала