IRF3710ZPBF, Транзистор, N-канал 100В 59А [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Красноярск

47,00 руб.

Артикул: 1125885 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Красноярск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	47,00руб.	43,71руб.	42,30руб.	41,36руб.	38,54руб.	37,60руб.	36,66руб.	33,84руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	85,07руб.	78,02руб.	76,61руб.	74,73руб.	69,56руб.	68,15руб.	66,27руб.	59,69руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	109,98руб.	101,52руб.	99,17руб.	96,82руб.	90,24руб.	87,89руб.	86,01руб.	77,08руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	56,40руб.	51,70руб.	50,76руб.	49,35руб.	46,06руб.	45,12руб.	43,71руб.	39,48руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	108,57руб.	100,11руб.	97,76руб.	95,41руб.	92,59руб.	89,30руб.	84,60руб.	76,14руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF3710ZPBF, Транзистор, N-канал 100В 59А [TO-220AB]The IRF3710ZPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175 C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Advanced process technology
• Ultra-low ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax