IRF3205PBF, Транзистор, N-канал 55В 110А [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Красноярск

50,00 руб.

Артикул: 1125868 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Красноярск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	50,00руб.	46,50руб.	45,00руб.	44,00руб.	41,00руб.	40,00руб.	39,00руб.	36,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	90,50руб.	83,00руб.	81,50руб.	79,50руб.	74,00руб.	72,50руб.	70,50руб.	63,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	117,00руб.	108,00руб.	105,50руб.	103,00руб.	96,00руб.	93,50руб.	91,50руб.	82,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	60,00руб.	55,00руб.	54,00руб.	52,50руб.	49,00руб.	48,00руб.	46,50руб.	42,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	115,50руб.	106,50руб.	104,00руб.	101,50руб.	98,50руб.	95,00руб.	90,00руб.	81,00руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF3205PBF, Транзистор, N-канал 55В 110А [TO-220AB]The IRF3205PBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance. Advanced HEXFET® power MOSFETs from International rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Dynamic dv/dt rating
• Fully avalanche rated
• Fast switching
• ±20V Gate-source voltage