тик

IRF1407PBF, Транзистор, N-канал 75В 130А авто [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Красноярск

73,00 руб.

x 73,00 = 73,00
Артикул: 1125852 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Красноярск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней73,00руб.67,89руб.65,70руб.64,24руб.59,86руб.58,40руб.56,94руб.52,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней132,13руб.121,18руб.118,99руб.116,07руб.108,04руб.105,85руб.102,93руб.92,71руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней170,82руб.157,68руб.154,03руб.150,38руб.140,16руб.136,51руб.133,59руб.119,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней87,60руб.80,30руб.78,84руб.76,65руб.71,54руб.70,08руб.67,89руб.61,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней168,63руб.155,49руб.151,84руб.148,19руб.143,81руб.138,70руб.131,40руб.118,26руб.

Характеристики

IRF1407PBF, Транзистор, N-канал 75В 130А авто [TO-220AB]The IRF1407PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET® power MOSFET are a 175 C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These benefits combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

n-канал