fs50r12ke3.330x300

FS450R12KE3_S1

Поставка электронных компонентов в Красноярск

46.300,00 руб.

x 46.300,00 = 46.300,00
Артикул: 1065477 Категория:
Сроки поставки выбранного компонента в Красноярск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт30шт100шт250шт
Склад №110-12 дней46.300,00руб.43.059,00руб.40.744,00руб.39.355,00руб.37.966,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт30шт100шт250шт
Склад №210-12 дней56.486,00руб.49.078,00руб.45.837,00руб.43.985,00руб.38.892,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт30шт100шт250шт
Склад №37 дней61.116,00руб.57.875,00руб.55.097,00руб.51.856,00руб.45.837,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт30шт100шт250шт
Склад №410 дней55.097,00руб.52.319,00руб.49.541,00руб.46.763,00руб.41.207,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт30шт100шт250шт
Склад №510-12 дней51.393,00руб.48.615,00руб.45.837,00руб.43.522,00руб.38.429,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт30шт100шт250шт
Склад №66 дней63.894,00руб.60.653,00руб.57.412,00руб.54.171,00руб.48.152,00руб.

Характеристики

FS450R12KE3_S1

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 450A 3-PHASE

Product Category
IGBT Modules
Manufacturer
Infineon
RoHS
No
Product
IGBT Silicon Modules
Configuration
Hex
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.15 V
Continuous Collector Current at 25 C
600 A
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Pd — Power Dissipation
2.1 kW
Package Case
EconoPACK+
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Brand
Infineon Technologies
Height
17 mm
Length
162 mm
Maximum Gate Emitter Voltage
+- 20 V
Minimum Operating Temperature
— 40 C
Mounting Style
Screw
Factory Pack Quantity
4
Width
150 mm

Дополнительная информация

Бренд

Infineon

Макс.напр.к-э,В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В

Номинальный ток одиночного тр-ра,А

Структура модуля

Тип силового модуля

Максимальная частота модуляции,кГц

Входная емкость затвора,нФ

Мощность привода, кВт

Драйвер управления

Защита по току

Защита от короткого замыкания

Защита от перегрева

Защита от пониженного напряжения питания

Максимальная рассеиваимая мощность,Вт

Максимальный ток эмиттера, А

Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В

Напряжение эмиттер-коллектор,В

Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс

Напряжение изоляции, В

Температурный диапазон,С