Заполнитель

Транзистор FQT4N20LTF

Поставка электронных компонентов в Красноярск

30,00 руб.

x 30,00 = 30,00
Артикул: 1128004 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Красноярск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней30,00руб.27,90руб.27,00руб.26,40руб.24,60руб.24,00руб.23,40руб.21,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней54,30руб.49,80руб.48,90руб.47,70руб.44,40руб.43,50руб.42,30руб.38,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней70,20руб.64,80руб.63,30руб.61,80руб.57,60руб.56,10руб.54,90руб.49,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней36,00руб.33,00руб.32,40руб.31,50руб.29,40руб.28,80руб.27,90руб.25,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней69,30руб.63,90руб.62,40руб.60,90руб.59,10руб.57,00руб.54,00руб.48,60руб.

Характеристики

FQT4N20LTFThe FQT4N20LTF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.

• Low level gate drive requirements allowing direct operation from logic drives
• 100% Avalanche tested
• 4nC Typical low gate charge
• 6pF Typical low Crss

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: SOT-223-4, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 0.85 А, 1.35 Ом