Заполнитель

FQPF6N90C, Транзистор N-CH 900V 6A [TO-220F]

Поставка электронных компонентов в Красноярск

75,00 руб.

x 75,00 = 75,00
Артикул: 1126644 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Красноярск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней75,00руб.69,75руб.67,50руб.66,00руб.61,50руб.60,00руб.58,50руб.54,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней135,75руб.124,50руб.122,25руб.119,25руб.111,00руб.108,75руб.105,75руб.95,25руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней175,50руб.162,00руб.158,25руб.154,50руб.144,00руб.140,25руб.137,25руб.123,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней90,00руб.82,50руб.81,00руб.78,75руб.73,50руб.72,00руб.69,75руб.63,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней173,25руб.159,75руб.156,00руб.152,25руб.147,75руб.142,50руб.135,00руб.121,50руб.

Характеристики

FQPF6N90C, Транзистор N-CH 900V 6A [TO-220F]The FQPF6N90C is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.

• Low gate charge (30nC)
• Low Crss (11pF)
• 100% avalanche tested

Дополнительная информация

Корпус

to220f
Структура

n-канал