1

FDPF4N60NZ, Транзистор, UniFET II, N-канал, 600В, 3.8А

Поставка электронных компонентов в Красноярск

62,00 руб.

x 62,00 = 62,00
Артикул: 1126616 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Красноярск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней62,00руб.57,66руб.55,80руб.54,56руб.50,84руб.49,60руб.48,36руб.44,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней112,22руб.102,92руб.101,06руб.98,58руб.91,76руб.89,90руб.87,42руб.78,74руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней145,08руб.133,92руб.130,82руб.127,72руб.119,04руб.115,94руб.113,46руб.101,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней74,40руб.68,20руб.66,96руб.65,10руб.60,76руб.59,52руб.57,66руб.52,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней143,22руб.132,06руб.128,96руб.125,86руб.122,14руб.117,80руб.111,60руб.100,44руб.

Характеристики

FDPF4N60NZ, Транзистор, UniFET II, N-канал, 600В, 3.8А UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (

Дополнительная информация

Корпус

to220fp
Структура

n-канал