STP60NF06, Транзистор, STripFET II, N-канал, 60В, 0.014Ом

Поставка электронных компонентов в Красноярск

32,00 руб.

Артикул: 1126889 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Красноярск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	32,00руб.	29,76руб.	28,80руб.	28,16руб.	26,24руб.	25,60руб.	24,96руб.	23,04руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	57,92руб.	53,12руб.	52,16руб.	50,88руб.	47,36руб.	46,40руб.	45,12руб.	40,64руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	74,88руб.	69,12руб.	67,52руб.	65,92руб.	61,44руб.	59,84руб.	58,56руб.	52,48руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	38,40руб.	35,20руб.	34,56руб.	33,60руб.	31,36руб.	30,72руб.	29,76руб.	26,88руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	73,92руб.	68,16руб.	66,56руб.	64,96руб.	63,04руб.	60,80руб.	57,60руб.	51,84руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

STP60NF06, Транзистор, STripFET II, N-канал, 60В, 0.014Ом The STP60NF06 is a 60V N-channel STripFET™ II Power MOSFET realized with unique STripFET process. It has specifically been designed to minimize input capacitance and gate charge. It is therefore suitable as primary switch in advanced high efficiency isolated DC-DC converters for telecom and computer application. It is also intended for any application with low gate charge drive requirements. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today’s challenging efficiency requirements.

• Exceptional dv/dt capability
• 100% Avalanche tested
• Application oriented characterization