Заполнитель

STP20NM50, Транзистор, MDmesh, N-канал, 500 В, 20А [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Красноярск

200,00 руб.

x 200,00 = 200,00
Артикул: 1126864 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Красноярск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней200,00руб.186,00руб.180,00руб.176,00руб.170,00руб.160,00руб.156,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней376,00руб.346,00руб.340,00руб.332,00руб.320,00руб.302,00руб.294,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней382,00руб.352,00руб.344,00руб.336,00руб.320,00руб.304,00руб.298,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней240,00руб.220,00руб.216,00руб.210,00руб.204,00руб.192,00руб.186,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней348,00руб.320,00руб.312,00руб.306,00руб.296,00руб.278,00руб.270,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней218,00руб.202,00руб.196,00руб.192,00руб.186,00руб.174,00руб.170,00руб.

Характеристики

STP20NM50, Транзистор, MDmesh, N-канал, 500 В, 20А [TO-220AB]The STP20NM50 is a MDmesh™ N-channel Power MOSFET associates the multiple drain process with PowerMESH™ horizontal layout. The device has an outstanding low ON-resistance, impressively high dV/dt and excellent avalanche characteristics and dynamic performances.

• High dV/dt and avalanche capabilities
• 100% Avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
• -65 to 150 C Operating junction temperature range

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

n-канал