Заполнитель

IRFB7545PBF, Транзистор, StrongIRFETс диодом, N-канал, 60В

Поставка электронных компонентов в Красноярск

48,00 руб.

x 48,00 = 48,00
Сроки поставки выбранного компонента в Красноярск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней48,00руб.44,64руб.43,20руб.42,24руб.39,36руб.38,40руб.37,44руб.34,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней86,88руб.79,68руб.78,24руб.76,32руб.71,04руб.69,60руб.67,68руб.60,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней112,32руб.103,68руб.101,28руб.98,88руб.92,16руб.89,76руб.87,84руб.78,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней57,60руб.52,80руб.51,84руб.50,40руб.47,04руб.46,08руб.44,64руб.40,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней110,88руб.102,24руб.99,84руб.97,44руб.94,56руб.91,20руб.86,40руб.77,76руб.

Характеристики

IRFB7545PBF, Транзистор, StrongIRFETс диодом, N-канал, 60В The IRFB7545PBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, DC-to-AC inverters, DC-to-DC and AC-to-DC converters.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability

Дополнительная информация

Корпус

to220ab

Структура

n-канал